题目:Ultrafast synthesis of Cu/Cu2O/Cu2S@coal-based carbon heterostructure with multiple redox pairs for enhancing specific capacitance in asymmetric supercapacitors
DOI:https://doi.org/10.1016/j.cej.2026.172716
通讯作者:南京航空航天大学张校刚教授、新疆大学郭继玺教授、吴雪岩教授
本研究通过开发一种Cu/Cu₂O/Cu₂S异质结构,并将其锚定于煤基碳材料上,提出了一种创新方法来提升超级电容器电极材料的性能。通过采用低温预氧化策略和快速焦耳加热,研究人员成功制备出一种复合结构,促进了快速电荷转移,改善了电子迁移,并在循环过程中稳定了铜基化合物。该结构中,Cu/Cu₂O/Cu₂S异质结构的形成增加了伪电容,这得益于多个氧化还原对(Cu⁰/Cu⁺)的存在,显著提高了电极的比电容(在1 A g⁻¹下为2041 Fg⁻¹)。此外,所得材料还表现出优异的稳定性,在经过10,000次循环后,容量保持率为97.29%,显著优于CuₓS等材料的长期循环稳定性。该研究为提升超级电容器的能量密度、功率密度和循环稳定性提供了一种可扩展的有效解决方案,对开发高性能、耐久的能源存储设备具有重要意义。研究还突出了在设计先进电极材料时,利用功能化碳基底的重要性,为可持续能源存储系统的发展提供了新的思路。

图1展示了Cu@OMC的合成过程。首先,煤基碳(RC)经过低温预氧化处理与KOH反应,形成含有丰富氧功能基团(如C–O、=C–H)的氧化煤基碳(OMC)。这些功能基团为铜基化合物提供了均匀的锚定位点。然后,通过快速焦耳加热过程,在1400°C的高温下,铜基前体(如CuCl₂)与OMC反应,最终形成了Cu/Cu₂O/Cu₂S异质结构,并将其紧密结合到煤基碳表面。这一过程优化了材料的电化学性能,提高了电荷转移效率和伪电容。

图2展示了低温预氧化过程和表征结果。图2a展示了从原煤(RC)到氧化煤基碳(OMC)的低温预氧化过程示意图。在这一过程中,原煤与KOH反应,脱水并与碱性物质反应,形成了丰富的氧功能基团(如C–O、=C–H),为后续的铜基化合物的负载提供了活性位点。图2b展示了RC和OMC的N₂吸附-脱附等温线,表明RC具有较低的比表面积(4.0 m²/g),而OMC的比表面积显著增加,达到了507.8 m²/g,说明了预氧化过程成功增加了材料的表面孔隙结构。图2c展示了拉曼光谱,揭示了OMC中含有丰富的缺陷位点,这有助于提高材料的电化学性能。D峰和G峰的比值变化(AD/AG)表明OMC具有更高的缺陷密度。图2d展示了XRD图谱,显示RC和OMC均为非晶碳,相比于RC,OMC的晶体结构变得更加无序,这为后续与铜基化合物的结合提供了更好的条件。图2e展示了元素分析,表明通过低温氧化处理,OMC的氧含量从9.41%增加至33.67%,进一步证明了氧化过程的有效性。图2f-g展示了红外光谱(IR)分析,揭示了低温氧化过程中的不同官能团的变化。随着温度的升高,C–O和=C–H官能团的强度增加,表明了氧化过程的有效进行。

图3展示了在快速焦耳加热过程中,铜基化合物与煤基碳之间的反应及表征。图3a展示了Cu@OMC合成过程的示意图,图中说明了铜基前体与OMC反应并转化为Cu/Cu₂O/Cu₂S异质结构。图3b展示了Cu@OMC-1000在1000°C下的XRD图谱,显示了铜基前体Cu₂(OH)₃Cl在此温度下的结构变化,并且表明其开始分解形成铜的氧化物和硫化物。图3c展示了Cu@OMC-1200在1200°C下的XRD图谱,表明随着温度的升高,铜的氧化物Cu₂O和硫化物Cu₂S开始形成,并且材料的晶体结构变得更加复杂。图3d展示了Cu@OMC-1400在1400°C下的XRD图谱,这时铜基化合物完全转化为Cu/Cu₂O/Cu₂S异质结构,表明高温处理有效促进了铜的还原及与碳基底的相互作用。图3e展示了Cu@OMC-1000的SEM图像,显示了高温下材料的表面形貌,表明Cu₂(OH)₃Cl在1000°C下发生了聚集并与碳基底相互作用。图3f展示了Cu@OMC-1200的SEM图像,显示了在1200°C下,材料表面已经开始形成Cu₂O和Cu₂S颗粒,且颗粒分布均匀。图3g展示了Cu@OMC-1400的SEM图像,此时铜基化合物完全转化为Cu/Cu₂O/Cu₂S,并且这些化合物均匀地负载在OMC表面,形成了稳定的异质结构。
图4展示了不同材料的表面形貌和结构特征。图4a展示了Cu@OMC的SEM图像,显示了Cu@OMC的表面均匀分布的Cu、Cu₂O和Cu₂S颗粒,形成了一个稳定的复合结构。这些颗粒在碳基底上的分布较为均匀,有助于增强电荷转移和电解质离子的扩散。图4b展示了Cu@RC的SEM图像,该材料表面相对光滑,未能形成如Cu@OMC那样的均匀颗粒分布,表明碳基底的结构对铜基化合物的分布和稳定性有显著影响。图4c展示了CuxS的SEM图像,显示了CuxS化合物的颗粒聚集现象,缺乏碳基底的支撑,导致材料在高温处理过程中出现较大的颗粒团聚。图4d展示了Cu@OMC的TEM图像,清楚地显示了材料表面Cu、Cu₂O和Cu₂S的晶体结构。TEM图像揭示了这些晶体在碳基底表面的均匀分布,有助于增强电化学反应的活性。图4e展示了Cu@OMC的高分辨率TEM图像,观察到Cu₂S与碳基底之间的界面效应,显示出一定程度的晶格膨胀,表明了界面重构的存在。图4f展示了Cu@OMC的高分辨率TEM图像,可以观察到Cu颗粒的晶体面为(111)面,同时显示出较为规整的晶格结构,进一步验证了其优良的材料质量。图4g展示了Cu@OMC的元素分布图,显示了Cu、S和O元素在材料表面的均匀分布。通过元素分析,确认了Cu@OMC中的Cu、S和O的均匀分布,从而进一步证明了Cu与OMC的良好结合。

图5展示了通过XPS表征得到的化学成分和氧化态分析结果。图5a展示了Cu@OMC和Cu@RC的XPS全扫描谱,证明了材料表面含有C、Cu、S和O元素。图5b展示了Cu@OMC中C 1s的XPS谱图,其中出现的不同结合能峰分别归属于C–S、O–C–O和C–C等官能团。图5c展示了Cu 2p谱图,揭示了Cu@OMC中Cu0和Cu+的氧化态,表明其具有较为丰富的氧化还原对。图5d展示了O 1s谱图,表明Cu@OMC中的Cu–O键和C–O键的存在,进一步验证了氧基团在材料中的作用。

图6 | 电化学性能
图6a展示了CV曲线,Cu@OMC表现出良好的法拉第反应可逆性,说明其电荷传输能力较强。图6b展示了Nyquist图,Cu@OMC的电荷转移阻抗(Rct)最低,表明其电导性最好。图6c展示了比电容保持率,Cu@OMC在高电流密度下仍能保持较高的比电容,显示出良好的快速充放电性能。图6d展示了电容与扩散贡献分析,表明Cu@OMC在低电流密度下以电容控制为主,高电流密度下扩散效应增加。图6e展示了比电容变化,显示Cu@OMC即使在高电流密度下仍保持较高的比电容,具有优秀的电荷存储能力。图6f展示了GCD曲线,Cu@OMC的充放电曲线对称,证明其电荷存储和释放效率高。图6g展示了电荷存储贡献,显示Cu@OMC的电荷存储主要由电容效应和扩散效应共同作用。图6h展示了线性关系,表明Cu@OMC表现出良好的电容控制。图6i展示了电流响应,Cu@OMC具有更高的电流响应速度,进一步提升其电荷转移能力。图6j展示了循环稳定性,Cu@OMC在10,000次循环后保持97.29%的容量,表现出卓越的稳定性。图6k展示了XRD图谱,Cu@OMC在长时间循环后保持结构稳定,无明显变化。
图7a展示了Cu@OMC作为负电极,AC作为正电极的非对称超级电容器设备的示意图。图7b展示了该设备的电压窗口和速率能力,表明设备在0–1.6 V的宽电压范围内具有良好的速率能力。图7c展示了不同电流密度下的GCD曲线,表明Cu@OMC电极在高电流密度下仍能保持较高的比电容,具有良好的快速充放电性能。图7d展示了能量密度和功率密度的比较,Cu@OMC的表现优于其他文献中类似材料,显示了其优异的能量密度和功率密度。图7e展示了循环稳定性测试,Cu@OMC在10,000次充放电循环后,容量保持率为97.29%,表现出极好的循环稳定性。图7f展示了组装后的设备成功点亮LED灯的实物图,证明了Cu@OMC在实际设备中的应用潜力。
图8a展示了Cu@OMC的原子结构模型,强调了富含氧的碳基底如何与铜基化合物(Cu、Cu₂O、Cu₂S)相互作用,增强了电化学性能。图8b展示了Cu@RC的原子结构模型,与Cu@OMC相比,Cu@RC的结构不如Cu@OMC复杂,电导性和电化学性能较差。图8c展示了Cu@OMC、Cu@RC和CuxS的电荷密度差异,表明Cu@OMC具有较大的电子转移区域,有助于提高其电化学性能。图8d展示了Cu@OMC的态密度(DOS)计算,表明其在费米能级附近具有最高的电子密度,增强了其导电性和电化学活性。图8e展示了Cu@RC的态密度(DOS)计算,显示其电子密度相对较低,电化学性能不如Cu@OMC。图8f展示了CuxS的态密度(DOS)计算,表明CuxS的电子密度较低,且在电化学反应中表现不佳。图8g展示了Cu@OMC的吸附能,表明其能够更快速地进行离子吸附和脱附,提高了功率密度和充放电效率。图8h展示了Cu@OMC、Cu@RC和CuxS的Warburg常数,表明Cu@OMC具有更小的迁移能量屏障,更好的离子扩散能力。图8i展示了Cu@OMC的电荷转移区域,证明氧化碳基底促进了电子迁移,有助于提高电化学性能。图8j展示了Cu@RC的电荷转移区域,相比Cu@OMC,其电荷转移区域较小,表明Cu@RC的电化学性能较差。
本研究通过结合低温预氧化策略和快速焦耳加热,成功制备了Cu/Cu₂O/Cu₂S异质结构,并将其锚定于煤基碳上,显著提升了电极材料的电化学性能,特别是在比电容和循环稳定性方面。多价态Cu/Cu⁺红ox对的形成增强了伪电容,并促进了电荷转移,最终使复合材料在1 A g⁻¹下达到了2041 Fg⁻¹的比电容,并在经过10,000次循环后保持了97.29%的容量保持率。与其他材料相比,所制备的Cu@OMC电极在能量密度和功率密度上表现出色,并有效避免了电极材料的脱落和粒子团聚,确保了长时间的稳定运行。该研究为超级电容器的高性能电极材料提供了一种新型设计思路,未来可以通过优化异质结构和探索更多的功能化碳基底,进一步提升电容器的综合性能,推动其在可持续能源存储系统中的应用。